MOS管动态参数测试仪


 
mos管动态参数测试仪
st-ac1202_x
用于 si/sic/gan 材料的 mosfet&igbt的开关时间参数测试
1200v/200a的输出能力,覆盖几乎所有的半导体分立式单管器件
         开通延迟 td(on) 0.1ns~10us    关断延迟 td(off) 0.1ns~10us
   上升时间 tr 0.1ns~10us           下降时间 tf 0.1ns~10us
       开通时间 ton 0.1ns~10us        关断时间 toff 0.1ns~10us
          开通损耗 eon 1uj~1000mj     关断损耗 eoff 1uj~1000mj
                                               拖尾电流 0.1a~30a
♦产品简述
   mos管动态参数测试仪是主要针对 半导体功率器件的动态参数测试 而开发设计。通过dut适配器的转换,可测试各类封装外观的 igbts,mosfets,diodes等功率器件,包括器件、模块、dbc衬板以及晶圆。产品功能模块化设计,根据用户需求匹配功能单元。测试功能单元有dpt(双脉冲测试 double pulse testing,以下简称dpt。包含开通特性、关断特性、反向恢复特性)栅电荷、短路、雪崩、结电容、栅电阻、反偏安全工作区等。测试方案完全符合iec60747-9国际标准。
    产品功能及输出功率进行了模块化设计,满足用户潜在的后期需求,*高测试电压电流可扩展至10kv/10ka,变温测试支持常温到200℃,支持生产线批量化全自动测试。
mos管动态参数测试仪
♦产品特点
 mos管动态参数测试仪系统电压以1500v为一个模块,电流以2000a为一个模块,可扩展至10ka/10kv
 内置7颗标准电感负载可选用, 另有外接负载接口,可实现不同电感和电阻负载测试需要(20/50/100/200/500/1000/2000uh)
 另有程控式电感箱可供选择
 针对不同结构的封装外观,通过更换 dut适配器即可
 可进行室温到200℃的变温测试,也可实现子单元测试功能
 测试软件具有实验模式和生产模式,测试数据可存储为excel文件
 门极电阻可任意调整, 系统内部寄生电感为*小至50nh
 系统测试性能稳定,适合大规模生产测试应用(24hr 工作)
 安全稳定(plc 对设备的工作状态进行全程实时监控并与硬件进行互锁)
 系统具有安全工作保护功能,以防止模块高压大电流损坏时对使用者造成伤害,设计符合ce认证
 支持半自动和全自动测试
 采用品牌工控机,具有抗电磁干扰能力强,排风量大等特点
 自动化:单机测试时只需手动放置dut,也可连接机械选件实现自动化测试线
 智能化,通过主控计算机进行操控及数据编辑,测试结果自动保存及上传指定局域网
 安全性,防爆,防触电,防烫伤,短路保护等多重保护措施,确保操作人员、设备、数据及样品安全。
♦参数指标
mos管动态参数测试仪厂家直供。
产品系列
晶体管图示仪
半导体分立器件测试筛选系统
静态参数(包括iges/vge(th)/vcesat/vf/ices/vces等)
动态参数(包括turn_on&off_l/qrr_frd/qg/rg/uis/sc/rbsoa等)
环境老化(包括 htrb/htgb/h3trb/surge等)
热  特  性(包括 pc/tc/rth/zth/kcurve等)
可测试 si/sic/gan 材料的 igbts / mosfets /  diodes / bjts / scrs等功率器件

西安天光测控技术有限公司
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MOS管动态参数测试仪
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