设备介绍: 本设备是借助射频等使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行,利用了等离子体的活性来促进反应,因而这种cvd称为等离子体增强化学气相沉积(pecvd)。
产品简介:此款设备配有plasma实现等离子增强,滑轨式设计在操作时可将实验需要的恒定高温直接推到样品处,使样品能得到一个快速的升温速度,同样也可将高温的管式炉直接推离样品处,使样品直接暴露在室温环境下,得到快速的降温速率。并可选配气氛微调装置,可准确的控制反应腔体内部的气体压力,带刻度的调节阀对于做低压cvd非常简单实用,工艺重复性好,对于石墨烯生长工艺非常合适,也同样适用于要求快速升降温的cvd实验。
主要组成系统及特点:
本设备主要由管式加热炉体,真空系统,质子流量供气系统,射频等离子源,石英反应腔室等部件组成。
主要特点:
1、通过射频电源把石英真空室内的气体变为离子态。
2、pecvd比普通cvd进行化学气相沉积所需的温度更低。
3、可以通过射频电源的频率来控制所沉积薄膜的应力大小。
4、pecvd比普通cvd进行化学气相沉积速率高、均匀性好、一致性和稳定性高。
5、广泛应用于:各种薄膜的生长,如:siox, sinx, sioxny和无定型硅(a-si:h)等。
石英管:根据需求选择不同直径的石英管作为反应室。有φ40,φ60,φ80,φ100,φ120,φ150等规格可选。)
质量供气系统技术参数:(根据需求选择多路质子流量供气系统。有两路gq-2z,三路gq-2z,四路gq-2z,五路gq-2z或更多路供选择。)
真空系统技术参数(根据需求选择不同真空效果的真空系统。有dzk10-1(极限真空0.1pa),gzk10-3(极限真空0.001pa),以及进口高真空机组(极限真空0.0001pa)供选择。)
射频电源(根据需求选择强度不同的射频电源。有dlz300(300w),dlz500(500w)或更大功率的射频电源供选择)
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价格说明
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